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Memoria Ram DDR5 8GB 4800MHz Kingston ValueRAM, SO-DIMM, CL40, 1.1V

Memoria Ram DDR5 8GB 4800MHz Kingston ValueRAM, SO-DIMM, CL40, 1.1V
Memoria Ram DDR5 8GB 4800MHz Kingston ValueRAM, SO-DIMM, CL40, 1.1V
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Etiquetas: accesorio componente accesorio memoria memoria RAM Ram

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Mayor rendimiento de la velocidad de arranque.

Características Claves

  •  Capacidad de memoria de 8GB
  •  4800 MT/s (PC5-38400) en velocidad de datos
  • Tipo SODIMM
  •  Latencia CAS CL40
  •  Factor de forma DDR5

DDR5 debuta a 4800 MHz, mientras que DDR4 alcanza un máximo de 3200 MHz. Esto representa un aumento del 50% en el ancho de banda. En consonancia con los lanzamientos de plataformas informáticas, DDR5 ha planificado aumentos de rendimiento que escalarán a 6400 MHz.

Reducción de potencia / mayor eficiencia.

A 1,1 V, DDR5 consume un 20 % menos de energía que los componentes equivalentes de DDR4 a 1,2 V. Además de conservar la duración de la batería en las computadoras portátiles, también tiene una ventaja significativa para los servidores empresariales que trabajan las 24 horas.

PMIC.

Los módulos DDR5 cuentan con circuitos integrados de administración de energía (PMIC) integrados, que ayudan a regular la energía requerida por los diversos componentes del módulo de memoria (DRAM, registro, concentrador SPD, etc.). Para módulos de clase de servidor, el PMIC usa 12V; para módulos de clase PC, utiliza 5V. Esto permite una mejor distribución de energía en comparación con las generaciones anteriores, mejora la integridad de la señal y reduce el ruido.

centro SPD.

DDR5 utiliza un nuevo dispositivo que integra la EEPROM Serial Presence Detect (SPD) con funciones de concentrador adicionales, administra el acceso al controlador externo y desacopla la carga de memoria en el bus interno de la externa.

Características
Memoria interna 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Tipo de memoria interna DDR5
Velocidad de memoria del reloj 4800 MHz
Componente para Portátil
Forma de factor de memoria 262-pin SO-DIMM
ECC No
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
On-Die ECC Si
Latencia CAS 40
Clasificación de memoria 1
Voltaje de memoria 1.1 V
Tiempo de ciclo de fila 48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 295 ns
Tiempo activo en fila 32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP) 1,8 V
Placa de plomo Oro
Estándar JEDEC Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C
Detalles técnicos
Certificados de sostenibilidad RoHS
Peso y dimensiones
Ancho 69,6 mm
Altura 30 mm
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